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2N7002W-7-F
数据列表 | 2N7002W Datasheet |
产品相片 | SOT-323 |
RoHS指令信息 | RoHS Cert of Compliance |
其它图纸 | SOT-323 Package Top |
PCN设计/规格 | Bond Wire 3/May/2011 |
PCN其它 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | - |
包装 | 带卷(TR) |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 115mA（Ta） |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（最大值） | 7.5欧姆@ 50mA，5V |
不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
功率-最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 2N7002W-FDITR |